中科院：8英寸碳化硅单晶研制出

导读：早先中科院天体物理学研究室无限期，8英寸SiC导电纳米研制急于，将运用于SiC纳米金属板。

图：8英寸SiC纳米和DRAM（中科院）

SiC器件的成本主要由金属板、外延、流片和公测等该集形成，金属板在SiC器件成本中占比高达~45%。为了下降单个器件的成本，进一步扩大SiC金属板尺寸，在单个金属板上增高器件的使用量是下降成本的主要途径。8英寸SiC金属板将比6英寸在成本下降上较强显著压倒性。

8英寸SiC固态生长的难点在于：首先要研制成8英寸籽晶；其次要化解大尺寸带给的温场不均匀和混合物茶叶常见于和输运效率问题；另外，还要化解拉伸加大造成固态开裂问题。

据中科院天体物理学研究室，科研团队于2021年10月在自研的金属板上初步生长成了8英寸SiC固态。

早先，团队通过改进生长材料，进一步化解了多型自由电子问题，持续改善固态结晶准确性，急于生长成了单独4H晶型的8英寸SiC固态，并为系统性成果申请了三项华南地区专利。

8英寸SiC导电纳米研制急于是天体物理学所在高约禁带太阳能电池应用领域取得的又一个标志性进展，技术开发成果转化后，将有助于增强中华民族在SiC纳米金属板的的国际竞争力，促进中华民族高约禁带太阳能电池产业的更快发展。

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