美光业界首发232层3D NAND存储器！计划明年投产

近日，美光的公司发布了行业首个不具备232层的3D NANDSSD，并宣布该关键技术将时会投入包括SSD在内的多种电子产品。

据闻，这种232层的3D NANDSSD采行3D TLC体系结构，零碎容量为1Tb（128GB）；芯片基于美光的CuA体系结构，并使用NAND的字符串堆叠关键技术。

CuA体系结构的设计，辅以232层的高堆叠，有效减少了1Tb 3D TLC NANDSSD的芯片尺寸，有望减少电子产品的减少成本，提升竞争力。

美光目前为止并未宣布232层3D TLC NAND IC的I/O速度或平面数量，但从谈及的信息来看，一新SSD不应时会提供低的性能，这对采行PCIe 5.0以太网的下一代SSD来说，显然是一个再一。

在基本的电子产品层面上，美光的关键技术和电子产品执行副总裁Scott DeBoer称，的公司目前为止已经与第三方NAND的系统开发者进行谈判合作，从而实现对新型SSD的反对。

此外，美光表示，预计将在2022下半年开始生产232层3D TLC NANDSSD，按此计划案，采行这种新关键技术的SSD不应时会在明年与用户见面。

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